ME-パワーMOSFETモジュール

プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めたパワーMOSFETモジュー…

OSFETモジュール FM200TU-07Aは、高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFETでは、低電流、低耐圧の領域にて実績があり、サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めることができた。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-IGBT搭載IGBTモジュール

1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGB…

スであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。 またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。 第5世代IGBTから従来外形のスタンダード（std）タイプに、薄型...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

KEC-Discreate IGBT

フィールドストップ（FS）IGBT技術

製品：KEC-Discreate IGBT KGF05N65DDAについては、KECフィールドストップトレンチIGBTが、低いスイッチング損失、高いエネルギー効率、及び短絡の堅牢性を提供する。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD