• 62mmパワーモジュール『FF600R12KT4』 製品画像

    62mmパワーモジュール『FF600R12KT4』

    4つのベースプレート取り付け穴は、コスト効率の良い迅速かつ容易なモジュ…

    『FF600R12KT4』は、標準的な62mmのパッケージで、高い電力密度を 実現し、高速トレンチIGBT4チップを搭載したパワーモジュールです。 ドライブ、UPS、ソーラーアプリケーション向けに設計。 当製品の導入により、IGBT4 62mmモジュールのラインアップは、 高速ト...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ 製品画像

    CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

    双方向のトポロジーに対応!より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

    さを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージのCoolSiC MOSFET 650Vは、 高電力アプリケーションをターゲットとするインフィニオンSiCトレンチ技術を 使用して構築されています。 これは、最大クラスのシステム性能、小型化、信頼性を実現するよう 最適化されています。 【特長】 ■低いQrrとQoss ■低スイッチング損失...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • シングルスイッチモジュール『FZ1800R45HL4/_S7』 製品画像

    シングルスイッチモジュール『FZ1800R45HL4/_S7』

    送配電や産業用ドライブに好適!システム設計者にとってコスト削減につなが…

    好適。 両モジュールとも同じサイズで出力が50%向上するため、 システム設計者にとってコスト削減につながります。 【特長】 ■新しい4.5kVチップを8インチウェハ技術で実現 ■トレンチ/フィールドストップ1GBT4、エミッタ制御4ダイオード ■高いTCおよびPC耐量と高い宇宙放射線耐性 ■_ST機能により、Vectsanを18%低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただく...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

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    低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

    容易な設計および実装!ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

    TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15%向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • ダイオード ブリッジ整流器モジュール 製品画像

    ダイオード ブリッジ整流器モジュール

    よりコンパクトなコンバーター設計!お客様のニーズに合わせた柔軟な選択が…

    ージに適した製品です。 Easy1BパッケージにTRENCHSTOP(TM)IGBT 7を搭載し、チョッパー構成に なっており、ユーザーに優れた選択肢を提供。 新しいマイクロパターントレンチ技術に基づく1600V整流ダイオード、 IGBT、ブレーキチョッパー ダイオードは、ドライブアプリケーション 向けに最適化されています。 【特長】 ■Easy1Bパッケージ ■160...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

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