パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ESD(CDM)試験受託サービス

印加ピンの接触確認機能により確実に印加！直接チャージ法と電界誘導法にも…

要なデバイス帯電モデルのESDによる 破壊に対する耐性を評価します。 直接チャージ法(Direct CDM)、電界誘導法(Field Induced CDM)の両方に対応。 また、ダイオード特性判定法、その他の特性評価による、破壊判定も 可能です。(別装置を使用) 【特長】 ■各種規格条件JEDEC、JEITA(EIAJも可)、AECに対してユニット交換で対応 ■直接チ...

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太陽光パネル保守・メンテナンスに　ソラメンテ　SC-200

CISアダプター SC-200は、ソラメンテ-iSのセンサー部を取り換…

表面から検知するiSのパネルチェッカー機能をそのままCIS用に活用することで、経済的にCISパネル点検ができるようになりました。PVケーブルを外すことなく、容易にCIS薄膜パネルの故障（バイパスダイオード短絡）を、短時間に効率よく特定することができます。...

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ESD(HBM・MM)試験受託サービス

DUTボード作製から試験まで！ご要望や目的に応じた試験をご提案、実施致…

p：5V) ■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V～±2000V(Step：5V) ■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応 ■破壊判定方法：保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、 　電源ピンの特性評価の4種類に対応 ■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応 ※詳しくは...

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海外製部品・製品 評価サービス

海外製部品・製品の中には品質上問題のあるものも含まれています。これらに…

品評価例 ・部品調達・選定段階での信頼性評価 ・部品・製品メーカー間比較評価 ・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価 ■対応部品の例 ・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等） ・受動部品（コンデンサ、抵抗、等） ・LCD ・基板 ・電源 等...

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ラッチアップ試験受託サービス

CMOS ICおよびそれを含む半導体製品のラッチアップ破壊に対する耐性…

■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC） ■電圧パルス印加法（AEC） ■ESDパルス印加法（参考試験） ■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式） ■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。 ＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台） 　　　　　　　　　多電...

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ESD（CDM）試験受託サービス

デバイス帯電モデル（Charged　Device　Model）のESD…

す。 ■ 直接チャージ法（Direct CDM）、電界誘導法（Field Induced CDM） 　の両方に対応します。 ■印加ピンの接触状態の確認機能により確実に印加します。 ■ダイオード特性判定法による破壊判定対応も可能です。（要相談）...

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太陽光パネル保守・メンテナンスに　ソラメンテ　SC-200

CISアダプター SC-200は、ソラメンテ-iSのセンサー部を取り換…

表面から検知するiSのパネルチェッカー機能をそのままCIS用に活用することで、経済的にCISパネル点検ができるようになりました。PVケーブルを外すことなく、容易にCIS薄膜パネルの故障（バイパスダイオード短絡）を、短時間に効率よく特定することができます。 ...

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ESD（HBM・MM）試験受託サービス

半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD（静電気…

験（C=200pF、R=0Ω） 　±5～±2000V（Step：5V） ■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等 　多様な印加条件に対応します。 ■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、 　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。...

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短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※...

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