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【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎
業界トップクラスの高パワー効率*低スイッチング損失
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 <特徴> ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ
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