株式会社Fテクニカルサポート GaN自立基板成長用HVPE(ハイドライド気相成長)装置
- 最終更新日：2023-08-07 09:32:11.0
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半導体関連装置のことなら当社にお任せください
『GaN 自立型基板成長用HVPE装置』は、当社独自に開発した
基板回転機構を用いた装置になります。
ヒータは割型12ゾーン制御。マイクロロジック社製の
トータルコントロールシステムを採用しています。
ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
【装置構成】
■3インチ×3枚(MAX)
■割型12ゾーン制御
■N2雰囲気ローディングBOX
■基板回転機構
■自動開閉移動ヒータ
■トータルコントロールシステム付
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基本情報GaN自立基板成長用HVPE(ハイドライド気相成長)装置
【関連製作品】
■アンモニア除害装置
■シリンダーキャビネット
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
カタログGaN自立基板成長用HVPE(ハイドライド気相成長)装置
取扱企業GaN自立基板成長用HVPE(ハイドライド気相成長)装置
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【業務内容】 ■半導体関連装置(主に前工程) 設計・製作・組立・設置 ■半導体関連装置 改造・メンテナンス定義項目2 ■一般産業機器装置 設計・製作・組立・設置 ■半導体装置 移設 ■製造設備、施設設備 メンテンナス
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