SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を
行っております。
FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の
形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が
SiCパワーデバイスでも対応できます。
「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた
二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。
FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。
【EBICを用いた解析手法】
■PEM/OBIRCH 不良箇所特定
■FIB断面加工
■低加速SEM
■EBIC解析
■TEM
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基本情報LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
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カタログLV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
取扱企業LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
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