高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化三星ダイヤモンド工業

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産性向上を実現。従来工法と比較して小フットプリント化.

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　

MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向上に繋がるほか、水を使用しないため環境に優しく、生産コストの削減が可能です。

【MDI独自技術SnB（スクライブ＆ブレーク）の特徴】
■高周波デバイスやパワーデバイスに対して、安定高速切断加工が可能！
■高精度・高品質な切断加工でストリート幅削減＆小サイズ対応が可能！
■さまざまな半導体/電子部品の加工に対応！
■多層構造の複合材料にも対応！

長年培ったノウハウと理論化したシミュレーションで最適な加工方法をご提案します。

※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

関連リンク - http://www.mitsuboshidiamond.com/business/electron…

基本情報高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

■半導体デバイス精密切断装置
【製品特長】
　DSシリーズ（スクライバー）
　　基板厚み　：100um-350um　　
　　リングサイズ：８～12inch
　DBシリーズ（ブレーカー）
　　基板厚み　：100um-350um
　　リングサイズ：８～12inch
　DLシリーズ（スクライブ＆ブレークインラインマシーン）
　　基板厚み　：100um-350um
　　リングサイズ：８～12inch
　DRシリーズ（リマウンターマシーン・フィルム張り替え機）
　　基板厚み　：100um-350um
　　リングサイズ：８～12inch

■MDIのオリジナルツール
長寿命を実現します。独自技術で開発した半導体デバイス用ツールはSiC（難削材）のスクライブ距離は長寿命を確保します。
※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。
また、様々なデバイス（素材）を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど

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用途／実績例	さまざまな半導体/電子部品の切断加工に対応します。 ※詳しくはカタログをご覧ください