プリント基板に。無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能
「半田濡れ性に優れた無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス」は、Auの代わりに特性の似ている４Agを用いためっきプロセスであるため、無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能です。半田濡れ性はめっき直後で、無電解Ni-P/置換Auめっきよりも良好です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
基本情報半田濡れ性に優れた無電解Ni-P置換Auめっき代替めっきプロセス
【特長】
○Auの代わりに特性の似ている４Agを用いためっきプロセスであるため、
無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能
○半田濡れ性はめっき直後で、無電解Ni-P/置換Auめっきよりも良好
○プリント基板に最適
○研究開発から試作・量産品まで幅広くサポート
●詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
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| 用途／実績例 | 【用途】 ○プリント基板 |
カタログ半田濡れ性に優れた無電解Ni-P置換Auめっき代替めっきプロセス
取扱企業半田濡れ性に優れた無電解Ni-P置換Auめっき代替めっきプロセス
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○フレキシブルプリント基板及びリジット基盤上の表面処理
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