非接触 IHはんだ付け装置　新製品ラインナップ

『S-WAVE』は、金属ベース基板をはじめ、セラミック基板から
低耐熱部品まで対応する3D局所加熱装置です。

狭いスポットを急速300℃加熱する「S-WAVE301A」
高い連続運転性能を実現する「S-WAVE301」
従来機種と比較し2倍の加熱力を実現する「S-WAVE301H」。

時代のニーズに応え、進化する3つのラインアップを
ご用意しております。

【特長】
＜S-WAVE301A＞
■低消費電力で高い加熱効率を実現
■スルーホール端子のはんだ付けに好適
■プリント基板等のパッド面を予熱
■輻射熱を抑え、終戦部品への影響を抑制
■ICNIRP、電波法などの各種規制に対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『S-WAVE301A』は、低消費電力で高い加熱効率を実現した
3D局所加熱装置です。

スノーホール端子のはんだ付けに好適。両面基板をはじめ、
片面基板やフレキシブル基板、低耐熱部品などに対応しております。

また、輻射熱を抑え周辺部品への影響を抑制します。
ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。

【特長】
■低消費電力で高い加熱効率を実現
■スノーホール端子のはんだ付けに好適
■プリント基板等のパッド面を予熱
■低耐熱部品のスポット加熱への利用
■輻射熱を抑え周辺部品への影響を抑制
■ICNRP、電波法などの各種規制に対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『S-WAVE301』は、ICNRP、電波法などの各種規制に対応した
3D局所加熱装置です。

低消費電力、高い加熱効率などの特長をそのままに、高い連続運転性能
を実現。加熱間隔を短く、サイクルタイムを短縮できます。

また、ヘッドユニットの小型化を実現し、はんだ上がりの改善や
赤目対策に有効です。

【特長】
■低消費電力、高い加熱効率など特長をそのまま
■冷却力UPで高出力時の加熱時間を伸長
■加熱間隔を短くサイクルタイムを短縮
■ヘッドユニットの小型化を実現
■はんだ上がりの改善、赤目対策に有効
■ICNRP、電波法などの各種規制に対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『S-WAVE301H』は、大きな熱量を要するプリント基板を
スポット加熱する製品です。

バスパー、パワー半導体、4層基板、高多層基板、厚銅基板、
セラミック基板、金属ベース基板といった特長的な基板にも対応可能。

低消費電力、高い加熱効率などの特長はそのままです。
ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。

【特長】
■低消費電力、高い加熱効率
■大きな熱量を要するプリント基板をスポット加熱
■パワー半導体のはんだ上がりを改善
■バスバーのはんだ上がりを改善
■ICNIRP、電波法などの各種規制に対応
■バスパー、金属ベース基板など特長的な基盤にも対応可能

※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）