低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した
「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ
半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。

放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。

実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。
また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。

【特長】
■TO247パッケージできわめて低いRDS(on)
■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現
■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下
■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択
■アバランシェおよび負荷短絡耐量

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）