発光解析のための半導体の裏面研磨

裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの
裏面研磨を行います。
これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、
形状異常の有無も観察できます。

また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で
裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。

【特長】
■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により
　透過しないため、裏面研磨が必要
■不良を保持したまま発光を検出できる
■形状異常の有無も観察できる
■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能

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あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理－裏面研磨－
　各種サンプル形態に対応します。
　Siチップサイズ：200um～15mm角

■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　エミッション解析：～2kV　まで対応
　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
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当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を
行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス
であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、
故障解析も新たな手法が必要となります。

短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC
ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、
疑似リークを発生させました。

IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、
GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。

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当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない
パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは
物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。

SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、
G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の
発光を検出。

発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが
認められました。

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株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。

当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、
不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。

Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を
はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、
「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。

【手法】
■発光解析/OBIRCH解析
■層剥離/サンプル加工
■マイクロプローブ
■PVC解析
■EBAC解析
■物理解析（FIB-SEM, TEM）

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