パワー半導体の解析サービス

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。

当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、
独自の分析・解析技術を培ってきました。

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。

【特長】
■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応
■表裏どちらからでもFIB加工可能
■PN接合部に形成された空乏層を可視化
■EDS、EELS分析といった元素分析も対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで
検出する事で不良箇所を特定する手法です。

ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で
半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。

更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。

【特長】
■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定
■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは
　解析が難しい電子部品を解析する事も可能
■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の
　特定が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！
今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや
MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の
断面観察・分析を高スループットで実現。

最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、
FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が
可能です。

【Helios 5 UCの主な特長】
■高速・大面積FIB加工
■低加速仕上げによるダメージ層低減
■Cryo-FIB加工
■3Dイメージング
■TEM試料加工の完全自動化

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