短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を
行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス
であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、
故障解析も新たな手法が必要となります。

短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC
ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、
疑似リークを発生させました。

IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、
GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの
裏面研磨を行います。
これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、
形状異常の有無も観察できます。

また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で
裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。

【特長】
■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により
　透過しないため、裏面研磨が必要
■不良を保持したまま発光を検出できる
■形状異常の有無も観察できる
■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）