sMIMによる半導体拡散層の解析

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に
線形な相関を持つ信号が特長です。

sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を
照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に
線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。

反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、
不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、
濃度の変化をCの変化として検出します。

【適用例】
■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の
　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価
■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化

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アイテスでは信頼性試験、分析・解析などパワーデバイスのトータルソリューションサービスを行っております。過渡熱測定を同時に行える「パワーサイクル試験機」をはじめ、「化合物半導体の故障解析」「拡散層の濃度解析」「モジュールの断面解析」など。具体的実績を元にご提案させていただきます。

キーワード：■パワー半導体全般（チップ、モジュールTIM素材など）■信頼性試験/評価　■構造解析（出来栄え・他社品RE）■故障解析（故障箇所特定、原因究明、改善提案）

【試験一覧】
■パワーサイクル試験
■液槽熱衝撃試験
■ゲートバイアス試験
■半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
■パワーチップの故障解析　など

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当社では、試料表面を微小プローブで走査し、ナノレベルの
構造解析を実現いたします。

「形状測定（タッピングモード）」では、周期的に振動させた
プローブで試料表面を軽くタッピングし、表面形状を計測。

また、「位相イメージング」は、カンチレバーを動かす周期信号と
カンチレバーの振動との間の位相遅れをマッピングし、形状には
現れない物性の違いを可視化します。

【特長】
■微小プローブによる高分解能でのイメージング
■導体、半導体、絶縁体を問わず測定可能
■微小な触圧によりほぼ非破壊で測定できる

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株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。

当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、
不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。

Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を
はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、
「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。

【手法】
■発光解析/OBIRCH解析
■層剥離/サンプル加工
■マイクロプローブ
■PVC解析
■EBAC解析
■物理解析（FIB-SEM, TEM）

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株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。

当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、
独自の分析・解析技術を培ってきました。

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。

【特長】
■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応
■表裏どちらからでもFIB加工可能
■PN接合部に形成された空乏層を可視化
■EDS、EELS分析といった元素分析も対応

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