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バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗!半導体に電圧を印加する3端子デ…
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MO...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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