Infineon-Diodeモジュール

Power BLOCKデュアルダイオード整流ダイオードモジュールには、…

ールDD89N16KHPSA1について は、圧力接触技術整流ダイオードモジュールの範囲は20mmから60mmで、電圧範囲は最大1800V、電流は600Aで、 Power BLOCK整流ダイオードは、絶縁された銅ベースプレートで構成される電気絶縁ベースを備え、これらは、電源コントローラー、ソフトスターター、及びドライブアプリケーションで使用できる。...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

Xinyun Elec . Coms-薄膜コンデンサ

薄膜タイプのコンデンサ

製品Xinyun Elec . Coms-薄膜コンデンサは、樹脂又はボックスタイプパッケージで、AC又はDC、高電圧、低ESR、良好な周波数特性、高絶縁抵抗、低損失、高信頼性等の特性を備えている。...

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Xinyun Elec . Coms-パルスパワートランス

パルスパワータイプのトランス

製品Xinyun Elec . Coms-パルスパワートランスは、絶縁パッケージ、気密性良好、スルーホールタイプ、フラットタイプ、ヨーロピアンウィングタイプ又は表面実装等構造、マルチピン、小型、軽量、優れて安定した電気的性能、高い信頼性、長寿命、米軍規格1553Bデー...

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ME-IGBT搭載IGBTモジュール

1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGB…

報は以下のようになる： 特徴： ・標準パッケージで、マルチソースに対応する　 ・低インダクタンスPKG採用により使いやすさ向上　 ・低スイッチング損失で1～5kHzの用途に最適である　 ・絶縁耐圧 4kV ...

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Infineon-IGBTモジュール

より堅牢に設置されているIGBTモジュール

F4-50R07W1H3_B11Aの基本情報は以下のようになる： ・自動車用高速IGBTH3及びRAPID1ダイオード　 ・低スイッチング損失 ・低インダクタンス設計　 ・2.5kVで1分間絶縁して交流する ・高い沿面距離と電気的クリアランス　 ・統合温度にてNTCを検出する温度センサー ・PressFIT圧着技術　 ・RoHS対応 ・統合された取り付けクリップにより、もっと堅牢...

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ME-G1 Series IPM

IGBTチップの性能をより引き出すため専用の駆動回路を搭載し、自己保護…

・CSTBT構造を採用した第7世代IGBTとRFC構造を採用したダイオードの搭載により電力損失を低減し、インバーター機器の低消費電力化に貢献する ・第7世代IGBTモジュール同様の新構造（樹脂絶縁銅ベース板）の採用と、はんだ付け部分の削減で、サーマルサイクル寿命が向上することによりインバーター機器の信頼性向上に寄与する ・従来品の内蔵機能に加えて、スイッチング速度切替駆動、エラー識別機能搭...

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ME-超小型DIPIPM Ver.7

超小型のDIPIPMである

として高耐圧ICを搭載することで、フォトカプラなしでマイコンと直接続可能としている。さらに、P側駆動電源生成用のブートストラップDiも内蔵し、単電源駆動が可能である。Ver.4シリーズ以降、高熱伝導絶縁シート構造を採用することで外形サイズを削減しつつ放熱性を大幅に改善しており、最新世代のパワー素子の採用と併せて、搭載製品の効率及びシステムコスト改善に貢献している。 ...

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ME-SOPIPM

基板設計が容易なSOPIPM

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-SOPIPMの特徴は、以下のようになる： ・ピン配列の最適化により、基板設計が容易となり、周辺部品を含めた実装面積の縮小に貢献する ・端子間の絶縁距離確保でコーティング剤塗布工程が不要となり、基板実装が容易である ・RC-IGBTの搭載により、高効率なインバータ動作を実現しつつパッケージを小型化できる ・BSDを内蔵し、外付け部品数の削減...

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