1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

ません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

IGBT

高耐圧製品ラインアップを拡充！対象アプリケーションに併せて好適設計

製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイーリングダイオード 内蔵品は定格2000A品、非内蔵品で定格3000A品をご用意しており、 対象アプリケーションに併せて好適設計されています。 【特長】 ■4.5...

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IGBTモジュール『EconoPIM／PACK2／PACK3』

IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため…

全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

『HybridPACK Drive』は、非常にコンパクトな6パックモジュールです。 チップ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適...

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