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プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めたパワーMOSFETモジュー…
OSFETモジュール FM200TU-07Aは、高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFETでは、低電流、低耐圧の領域にて実績があり、サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めることができた。 ...
メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD
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1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGB…
スであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。 またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT(キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT)により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。 第5世代IGBTから従来外形のスタンダード(std)タイプに、薄型...
メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD
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フィールドストップ(FS)IGBT技術
製品:KEC-Discreate IGBT KGF05N65DDAについては、KECフィールドストップトレンチIGBTが、低いスイッチング損失、高いエネルギー効率、及び短絡の堅牢性を提供する。 ...
メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD
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