高密度ポリエチレン製フレキシブル配管『UPP 2重配管』

トレンチ不要で燃料配管埋設コストを大幅に削減！高耐圧で腐食・電食なし。…

融着接合」を採用しています。 腐食、電触がなく、埋設でも安心の高耐圧で、ガソリンやアルコール混合燃料の 吸収や浸透にも優れた耐性を発揮。漏洩検知システムの設置も可能。 地中への配管埋設がトレンチなしで直接行なえ、 燃料配管埋設作業の大幅な工期短縮・コストダウンに貢献します。 ★メリットが一目でわかる！工法比較資料をPDFダウンロードよりご覧いただけます。 【特長】 ■トレ...

メーカー・取り扱い企業： Ｐ＆Ｄジャパン株式会社

高密度ポリエチレン製フレキシブル配管『UPP 2重配管』

トレンチ不要で燃料配管埋設コストを大幅に削減！高耐圧で腐食・電食なし。…

ンスタンドの遠方注入管、給油管、注油管、油中ポンプ等の 配管として使用されています。 ※メリットが一目でわかる！工法比較資料をPDFダウンロードよりご覧いただけます。 【特長】 ■トレンチなしで地中への配管埋設が可能 ■敷設工数・コストを大幅に削減可能 ■最長100mの管をラインアップ ■漏洩検知システムによる常時監視にも対応 ※鹿島建設様が、当製品について電気設備学会...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Deson Japan

ME-パワーMOSFETモジュール

プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めたパワーMOSFETモジュー…

OSFETモジュール FM200TU-07Aは、高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFETでは、低電流、低耐圧の領域にて実績があり、サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めることができた。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

ME-IGBT搭載IGBTモジュール

1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGB…

スであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。 またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。 第5世代IGBTから従来外形のスタンダード（std）タイプに、薄型...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

KEC-Discreate IGBT

フィールドストップ（FS）IGBT技術

製品：KEC-Discreate IGBT KGF05N65DDAについては、KECフィールドストップトレンチIGBTが、低いスイッチング損失、高いエネルギー効率、及び短絡の堅牢性を提供する。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・J...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ