ME-サイリスタモジュール TM10T3B-M, -H

ゲート電流にパルス電流を流すことでターンオンするサイリスタモジュール…

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-サイリスタモジュール TM10T3B-M, -Hは、ゲート電流にパルス電流を流すことでターンオンするサイリスタモジュールで、但しサイリスタは、ラッチ型のため持続電流（保持電流）が一定以上ある限り、オン状態となる半導体である。 直流回路においてオフするに...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-パワーMOSFETモジュール

プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めたパワーMOSFETモジュー…

Tモジュール FM200TU-07Aは、高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFETでは、低電流、低耐圧の領域にて実績があり、サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めることができた。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

SGS-Thomson-triac2

Thomson-triac2

iacsの特性は以下の通りである： High-performance Triacs 特性： 1.主電源を電源とする各種の電化製品に適用した、火花がなく、経年劣化もない特性。 2.シンプルなゲート位相角を起動する機能は、照明の明るさや一般的なモーターの速度を調整するのに便利である。 3.高熱環境及び高電力密度を必要とするPCB設計に特に適している。 4.600Vのブロッキング電圧、30...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-IGBT搭載IGBTモジュール

1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGB…

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。 またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。 第5世代IGBTから従来外形のスタンダード（std）タイプに、薄型外形の...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-SiCパワーモジュール

SiCの特性により完成されたSiCパワーモジュール

カバリー電流の低減で低ノイズなシステムが可能である ・P側電源用ブートストラップダイオード、温度情報出力など豊富な機能を搭載している ・当社独自技術の高Vth SiC-MOSFET搭載により、ゲート駆動用の負バイアス回路が不要である ・従来品とパッケージ及びピン配置の互換性を確保し、本製品に切り替えるだけで性能が向上する ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-ダイオードモジュール

逆回復特性だけでなく、ソフト・リカバリ特性が主流となるダイオードモジュ…

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-ダイオードモジュールRM200CY-24Sは、インバーターの主要スイッチング・デバイスを高速MOSゲート素子へと移行させている。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

SGS-Thomson-triac1

Thomson-triac1

acsの特性は以下の通りである： High-performance Triacs 特性： 1. 主電源を電源とする各種の電化製品に適用した、火花がなく、経年劣化もない特性。 2.シンプルなゲート位相角を起動する機能は、照明の明るさや一般的なモーターの速度を調整するのに便利である。 3.高熱環境及び高電力密度を必要とするPCB設計に特に適している。 4.600Vのブロッキング電圧、30...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD