インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ
- 最終更新日：2024-04-03 11:41:57.0
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RoHSおよびWEEE対応パッケージ！一般的なアプリケーションではデカップリングコンデンサが不要
『BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ』は、GSM、WCDMA、LTEおよび
5Gアプリケーション向けに特化して設計されています。
このDPDTは、最大7.125GHzの高周波数においても挿入損失を非常に低く抑え、
高調波の低減、RFポート間の高い絶縁を実現。
また、高速スイッチングが可能なため、5G-SRSアプリケーションにも
対応します。
【特長】
■最大39dBmの高い直線性
■低消費電流、最低電源電圧1.6V
■最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低減
■5G-SRSアプリケーション向けの高速スイッチング速度
■GPIO制御インターフェース
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ
【主な利点】
■2μs以下の高速スイッチングにより、5G-SRSアプリケーションに好適
■最大7.125GHzの幅広い周波数のアプリケーションに対応
■パワークラス2の5Gバンドに対応した高い電力処理能力
■クラス2 (N41、N77、N78、N79) の5Gバンドに対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【対象アプリケーション】 ■セルラーモバイル機器のRFパスルーティング/スワッピング ■GSM、WCDMA、4G/LTE、5Gアプリケーション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
取扱企業BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ
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