富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』
- 最終更新日：2023-02-06 09:54:11.0
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100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、
パラレルインターフェースのFeRAMです。
当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、
動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。
これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。
【特長】
■高書換え耐性（書換え保証回数が多い）
■高速書込み
■低消費電力
■20年以上の量産実績あり
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』
【その他の特長】
■1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作
■100兆回のデータ書換え回数を保証
■アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作
■連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能
■高速化を実現しながら動作時の低消費電力化も実現
■動作電流は最大18mA（従来品よりも10％削減）
■スタンバイ電流は最大150µA（同50％削減）
■48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置き換えが容易な44ピンTSOPの2種類
■SRAMをご使用中のお客様が新製品の8MビットFeRAMを採用することで、バッテリーを
削減できるメリットがある
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途例】 ■産業機械 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
取扱企業不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』
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■メモリLSI製品およびソリューションの設計・開発
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