• 高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化 製品画像

    高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • パワーデバイス(SiC)をチップ化 製品画像

    パワーデバイス(SiC)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法 製品画像

    カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

    水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

    三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。  独自の技術である「スクライブ&ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

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